LeoMonteCrystal

        Een numerieke simulatie is gebaseerd op Monte Carlo-implementatie van gemodificeerd cellulair automaatmodel. Het gesimuleerde kristaloppervlak wordt gerepresenteerd door een tweedimensionale matrix waarin de waarde en positie van de elementen de 3D-locatie van het molecuul op het oppervlak van het kristal bepalen.
Relatieve waarschijnlijkheden om een ​​molecuul te accepteren of uit te stoten, worden berekend op basis van het model van de thermisch geactiveerde reactie, afhankelijk van de nabije omgeving van elk molecuul op het oppervlak dat directe introductie van de oppervlakte-energie in het model van de kristalgroei mogelijk maakt.
Een model maakt ook de berekening mogelijk van gaten in het concentratiegattype gevormd als gevolg van het verstoppen van flessenhalsachtige structuren op het ruwe oppervlak.
Parameters van één experiment kunnen worden ingevoerd in het datapaneel met flexibele keuze om favoriete meeteenheden te gebruiken.

LeoMonteCrystal biedt mogelijkheden voor eenheidsconvertor, waardoor de initiële parameters die zijn gedefinieerd in verschillende eenheden, geschikt zijn voor een gebruikelijk gebruik.
Het paneel voor invoer van gegevens toont onmiddellijk theoretische waarden voor snelheidskristalgroei, berekend voor competitieve theoretische modellen en plus het meest waardevol - met formules gevonden als resultaat van ons onderzoek voor een gegeven reeks beginparameters.
De temperatuurafhankelijkheid van groeisnelheid, oppervlakteruwheid en gebrekenconcentratie berekend met onze formules worden op een aparte kaart weergegeven.
Na wijziging van één parameter worden alle betrouwbare variabelen automatisch overeenkomstig bijgewerkt met functionaliteit van thermodynamische en kristallografische rekenmachine.
Veel gebruikte set parameters, die overeenkomen met de gewenste samenstelling, kunnen worden opgeslagen of geïmporteerd in of vanuit een door een coma gescheiden bestand (MS Excel-compatibel).
In het paneel 'Resultaten' tijdens de simulatie zijn er grafieken met een tijdlijn van: de afstand van de voortgang van het kristaloppervlak, de ruwheid, de directe groeisnelheid en de concentratie van het gat zoals defecten.
    

Wat is nieuw in deze release:

Versie 1.1: De temperatuurafhankelijkheid van de groeisnelheid, de ruwheid van het oppervlak en de concentratie van defecten, berekend met onze eigen state-of-the-art-formules, worden op een aparte kaart weergegeven.